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SPTS作為的深硅刻蝕和犧牲層刻蝕設(shè)備的供應(yīng)商，SPTS能夠提供一系列的解決方案來(lái)滿足客戶的生產(chǎn)和開發(fā)要求。通過一系列的技術(shù)的開發(fā)，SPTS能為客戶提供一系列的優(yōu)良的工藝，比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圓上的封裝（3D封裝和芯片級(jí)封裝）。

用于沉積納米級(jí)薄膜、納米粉末包覆、長(zhǎng)深孔樣品鍍膜;具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生產(chǎn)型ALD;具備近100種膜層工藝。應(yīng)用領(lǐng)域：芯片封裝、半導(dǎo)體High-k介電層、納米涂層、3D涂層、鋰電池、催化劑、太陽(yáng)能電池、5G通訊（SAW器件）、生物醫(yī)學(xué)仿生、熒光材料、OLED顯示、有機(jī)材料、電子電路、光學(xué)膜等。

Laser MBELaser MBE特點(diǎn)模塊化概念，Laser MBE可以輕松升級(jí)到傳輸模塊或其他模塊UHV PLD主腔室、利用Load-lock實(shí)現(xiàn)襯底和靶材的UHV傳輸*的工藝自動(dòng)化功能，可實(shí)現(xiàn)超晶格生長(zhǎng)溫度測(cè)量準(zhǔn)確的耐氧襯底加熱器，1000 ℃，也可以選配激光加熱靶臺(tái)可以屏蔽交叉污染，傳輸整個(gè)carrousel而非單個(gè)靶材真空腔室利于系統(tǒng)升級(jí)。